特許
J-GLOBAL ID:200903023912977051

成膜装置、成膜方法および有機EL素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 村上 友一 ,  大久保 操
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-086687
公開番号(公開出願番号):特開2006-265650
出願日: 2005年03月24日
公開日(公表日): 2006年10月05日
要約:
【課題】 マスク変形の防止および製造時間の短縮を図る成膜装置、成膜方法および有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 成膜装置は、成膜材料の供給源と、前記成膜材料の膜が形成される基板とを備えた成膜装置であって、前記基板の表面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の表面側に配設されたマスク36と、前記基板の裏面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の裏面側に配設された磁石22と、前記磁石22の移動を所定範囲内に制限する移動制限手段24と、を備えた構成である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
成膜材料の供給源と、前記成膜材料の膜が形成される基板とを備えた成膜装置であって、 前記基板の表面に対して接近および離反する方向に移動可能にしてなるマスクと、 前記基板の裏面に対して接近および離反する方向に移動可能にしてなる磁石と、 前記磁石の移動を所定範囲内に制限する移動制限手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4件):
C23C 14/24 ,  C23C 14/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (4件):
C23C14/24 G ,  C23C14/04 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (10件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029HA02 ,  4K029HA04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 薄膜形成装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-238275   出願人:ソニー株式会社
審査官引用 (2件)

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