特許
J-GLOBAL ID：200903023921787699
カーボンナノチューブフィールドエミッショントランジスタの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335435
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】カーボンナノチューブフィールドエミッショントランジスタの製造方法の提供。【解決手段】カーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイのトリプル電極構造中のカーボンナノチューブ電子源にキャスティング表面処理を行なうことで、カーボンナノチューブの単位電極画素上に露出する数を増加して、電子源フィールドエミッション材料のフィールドエミッションの電流密度と強度を増す機能と目的を達成する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブフィールドエミッショントランジスタの製造方法において、フィールドエミッションディスプレイのトリプル電極構造中或いは任意の構造中のカーボンナノチューブ電子源に表面処理を施し、トリプル電極構造中或いは任意の構造中のカーボンナノチューブ電子源にフィールドエミッションの電流密度及び強度を高めさせ、この製造方法が、
コーティング材料をコーティングする工程と、
該コーティング材料を加熱して貼り合わせる工程と、
膜剥離の工程と、
を具えたことを特徴とする、カーボンナノチューブフィールドエミッショントランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5C127AA01
, 5C127BA09
, 5C127BA15
, 5C127BB07
, 5C127BB20
, 5C127CC06
, 5C127DD23
, 5C127EE02
, 5C127EE15
