特許
J-GLOBAL ID:200903093137655911

エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-352983
公開番号(公開出願番号):特開2002-157953
出願日: 2000年11月20日
公開日(公表日): 2002年05月31日
要約:
【要約】【課題】 CNT膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法を提供する。【解決手段】 エミッタの製造方法では、ガラス基板10上に、複数のカーボンナノチューブ(CNT)12aを含みエミッタ電極12bを構成するCNT膜12を形成し、CNT膜12上に絶縁膜13を介してゲート電極16を形成し、ゲート電極16及び絶縁膜13に複数のゲート開口17を形成し、ゲート開口17内のCNT12aを直立配向させる。
請求項(抜粋):
基板上に、複数のカーボンナノチューブ(CNT)を含むエミッタを構成するCNT膜を形成し、前記CNT膜表面のCNTを直立配向させることを特徴とするエミッタの製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C
Fターム (8件):
5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12
引用特許:
審査官引用 (7件)
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