熱電半導体の塑性加工方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156346
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】熱電半導体の塑性加工方法において、酸化を抑制し、酸化による熱電半導体材料組成の変化に起因した性能劣化を防止すること。【解決手段】酸素濃度が10000ppm以下の雰囲気酸素濃度環境下で熱電半導体を塑性加工する。酸素濃度が10000ppm以下であると、熱電半導体の酸化による性能劣化を顕著に抑制することができる。

請求項（抜粋）：