プラズマクリーニング装置及び電子部品製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283199
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半田によるダイの再汚染を防ぐことを目的とする。【構成】相対向する第1の電極6と第2の電極8とを真空チャンバー1内に設け、第1の電極6と第2の電極8の一方に、既に半田付けされたチップ10と表面にワイヤボンディングパットが露呈するダイ17を混載した基板9を載置し、第1の電極6と第2の電極8の一方を電気的に接地し、他方を高周波電源7に接続し、第1の電極6と第2の電極8との少なくとも一方に基板9の部品配置に対応してプラズマを発生する領域を制限するシールド21を設けた。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーと、前記真空チャンバーにガスを供給する給気管と、前記真空チャンバーからガスを排気する排気管とを有し、相対向する第1の電極と第2の電極とを前記真空チャンバー内に設け、前記第1の電極と前記第2の電極の一方に、既に半田付けされたチップと表面にワイヤボンディングパットが露呈するダイを混載した基板を載置し、前記第1の電極と前記第2の電極の一方を電気的に接地し、他方を高周波電源に接続し、前記第1の電極と前記第2の電極との少なくとも一方に基板の部品配置に対応してプラズマを発生する領域を制限する制限手段を設けたことを特徴とするプラズマクリーニング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭58-110674
回路用基板のプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032489 出願人：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
特開昭58-110674

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