半導体薄膜及び半導体薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009092
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203834
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】青色発光ダイオード等に用いることのできる青色半導体レーザ素子製造に適した、転位や点欠陥の少ない高品質なAlGaInN薄膜の形成方法を提供する。【構成】加熱されたSiC基板表面上にIII族構成元素を含む原料および窒素を含む原料を供給して緩衝層を介してAlGaInN薄膜を形成する方法である。まず、800°Cに加熱したSiC基板11上に単結晶AlN12を形成する。そして、600°Cで20nmの非単結晶AlN13を形成する。次いで、900°C以上の基板温度で単結晶AlGaN層14を形成する。そしてAlGaN層14上に格子整合するAlGaInN層15を形成する。これにより転位や点欠陥の発生を抑制し、高品質なAlGaInN薄膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

加熱された基板表面上にIII族構成元素を含む原料および窒素を含む原料を供給して緩衝層を介してAlGaInN薄膜を形成する方法であって、前記基板上に第一のAlGaN単結晶薄膜を形成した後に、AlGaNからなる緩衝層を形成する工程と、次いで第二のAlGaN単結晶薄膜を形成した後に、AlGaInN単結晶薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするAlGaInN半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体単結晶層の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022085 出願人：日亜化学工業株式会社
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-043581 出願人：株式会社東芝
特開昭63-188988

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