マグネシウムをドープしたIII-V族窒化物及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-617238
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517721
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：

【要約】マグネシウムをドープした高品質III-V族窒化物層及びそれを生成する方法。p型窒化ガリウム、窒化インジウム又は窒化アルミニウム層(12′)は、マグネシウムとIII族金属(Ga,In,Al)(11)を含む金属供給混合物を利用するハライド気相成長法(HVPE)により、サファイヤ基板(5)上に生成される。低い転位密度を有し、例えば発光装置等の製造における利用に適したマグネシウムをドープしたIII-V族窒化物基板を提供するために、窒化ガリウム層,窒化インジウム層又は窒化アルミニウム層はサファイヤ基板から取り除かれ得る。

請求項（抜粋）：

p型窒化物層を生成する方法であって、 a)反応器を有するHVPEシステムを提供する工程と、 b)前記反応器内に基板を配置する工程と、 c)前記反応器の中へ試薬ガスを案内する工程とから成り、前記試薬ガスは第1試薬ガス成分を含み、前記第1試薬ガス成分はIII族金属及びマグネシウム上にHClを通過させることにより調整される方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077TB04 , 4G077TC02 , 4G077TK01 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA20 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F041AA24 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA02 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA11 , 5F073CA07 , 5F073DA04 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

エピタキシャルウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-139625 出願人：三菱化学株式会社
窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335580 出願人：エルジー電子株式会社

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