特許
J-GLOBAL ID：200903023958692280
超臨界二酸化炭素プロセス中の汚染物の形成を低減する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-563744
公開番号（公開出願番号）：特表2005-516405
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
ウェハ処理中にウェハ又は基材上に粒子が形成するのを確実に低減するための方法及びシステムが開示される。この方法及びシステムは、主バルク源で以って第2圧力P2で圧力チャンバーを充填する前に、精製された予備充填剤で以って圧力チャンバーを第1圧力P1に予備充填することによりウェハ処理中の基材材料の残留物汚染を低減する。精製予備充填剤源でチャンバーをバルク源圧力P2に実質的に等しい第1圧力P1に予備充填することにより、バルクCO2中に見出される汚染物は、バルクCO2中にとどまる。したがって、この方法及びシステムは、ウェハ処理中のバルク源の減圧によって生じる汚染物の析出を低減し、それにより対応する基材材料の汚染を低減する。
請求項（抜粋）：
a.予備充填剤源を圧力チャンバーに添加して、該圧力チャンバーを第1圧力に予備充填すること;
b.バルク源を添加して、該圧力チャンバー中の該予備充填剤を置換しながら該圧力チャンバーを第2圧力に加圧すること;
c.基材構造物の洗浄プロセスを開始すること;及び
d.該圧力チャンバーを大気圧に減圧すること
を含んで成る方法。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B01D12/00
, B01J3/00
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 645A
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 648G
, H01L21/304 648L
, B01D12/00
, B01J3/00 A
4D056EA03
, 4D056EA06
, 4D056EA08
