特許
J-GLOBAL ID：200903023983950405

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者：
八木 茂

八木 茂 について

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鈴木 俊彦

鈴木 俊彦 について

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鳥越 誠之

鳥越 誠之 について

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鈴木 星児

鈴木 星児 について

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岩永 剛

岩永 剛 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352667
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168040
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 高品質で結晶性に優れた窒化物系化合物半導体を基板上に直接成長させた窒化物半導体素子及びその製造方法の提供。【解決手段】 基板上に、少なくともIIIA族元素と窒素とからなる窒化物系化合物半導体が直接成長してなり、該窒化物系化合物半導体のX線回折ピークが、六方晶のC面からのピークのみであり、かつ、該C面の(0002)ピークにおけるX線ロッキングカーブの半値全幅が、0.2度以下であることを特徴とする窒化物半導体素子である。また、少なくともIIIA族元素を含む有機金属化合物とプラズマ活性された窒素源とを反応容器内に導入し、基板表面に窒化物系化合物半導体を成長させる工程を有し、かつ、IIIA族元素と窒素原子との供給量の比(原子数比)が、IIIA族元素:窒素原子=1:50,000〜1:1,000,000であることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともIIIA族元素と窒素とからなる窒化物系化合物半導体が直接成長してなり、該窒化物系化合物半導体のX線回折ピークが、六方晶のC面からのピークのみであり、かつ、該C面の(0002)ピークにおけるX線ロッキングカーブの半値全幅が、0.2度以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C
Fターム (43件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F045AA09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045BB07 ,  5F045CA09 ,  5F103AA10 ,  5F103BB55 ,  5F103BB57 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103HH08 ,  5F103HH10 ,  5F103KK01 ,  5F103KK02 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP14 ,  5F103RR05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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