特許

J-GLOBAL ID：200903023989132186

レジストパターン形成方法

発明者： 岩下 淳
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-253186
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078220
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、支持体1上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成する工程と、前記第一のレジスト膜2を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン3を形成する工程と、前記第一のレジストパターン3が形成された前記支持体1上に、アルコール系有機溶剤を含む有機溶剤(S”)を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成する工程と、前記第二のレジスト膜6を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して前記第一のレジストパターン3よりも密なレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、 前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、 前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、アルコール系有機溶剤を含む有機溶剤(S”)を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、 前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して前記第一のレジストパターンよりも密なレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/20

FI (4件)：

H01L21/30 502C ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/20 501

Fターム (20件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA60 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA05 ,  2H097AA12 ,  5F046AA11 ,  5F046AA17 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18 ,  5F046NA08 ,  5F046NA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (2件)

• ネガ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-335076   出願人：東京応化工業株式会社
• 特開平4-071222
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Contact Hole Formation by Multiple ExposureTechnique in Ultra-low K1 Lithography