ネガ型レジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335076
公開番号（公開出願番号）：特開2006-145788
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】下層に密パターンを形成し、上層に疎パターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】下記(i)〜(ii)の工程;(i)基板上に第1のレジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、該第1のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程;(ii)該第1のレジスト層の上に第2のレジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、該第2のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程;を含むレジストパターンの形成において、前記第1又は第2のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第1又は第2のレジスト層を溶解しない有機溶剤(D)として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記(i)〜(ii)の工程 (i)基板上に第1のレジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、該第1のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程 (ii)該第1のレジスト層の上に第2のレジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、該第2のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程を含むレジストパターンの形成において、前記第1又は第2のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第1又は第2のレジスト層を溶解しない有機溶剤(D)として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/26 , G03F 7/004 , G03F 7/20 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/26 511 , G03F7/004 501 , G03F7/20 501 , H01L21/30 514A , H01L21/30 573

Fターム (35件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025DA13 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA28 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096FA10 , 2H096GA08 , 2H096JA03 , 2H096JA04 , 2H096KA03 , 2H096KA04 , 2H096KA05 , 2H096KA09 , 2H097AA12 , 2H097LA10 , 5F046AA13 , 5F046NA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-369340 出願人：東京応化工業株式会社
米国公開公報US2003-0104319A1

審査官引用 (5件)

ジオール構造を含有してなる重合体、それを用いたネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-087403 出願人：日本電気株式会社
微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法および当該方法により製造した半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-327146 出願人：三菱電機株式会社
ネガ型含フッ素レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-281167 出願人：旭硝子株式会社

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