特許
J-GLOBAL ID：200903002831128281

ネガ型レジスト組成物

発明者：
岩下 淳

岩下 淳 について

, 
岩井 武

岩井 武 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335076
公開番号（公開出願番号）：特開2006-145788
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 下層に密パターンを形成し、上層に疎パターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】下記(i)〜(ii)の工程;(i)基板上に第1のレジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、該第1のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程;(ii)該第1のレジスト層の上に第2のレジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、該第2のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程;を含むレジストパターンの形成において、前記第1又は第2のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第1又は第2のレジスト層を溶解しない有機溶剤(D)として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下記(i)〜(ii)の工程 (i)基板上に第1のレジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、該第1のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程 (ii)該第1のレジスト層の上に第2のレジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、該第2のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程 を含むレジストパターンの形成において、前記第1又は第2のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、 当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第1又は第2のレジスト層を溶解しない有機溶剤(D)として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/26 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/26 511 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 514A ,  H01L21/30 573
Fターム (35件)：
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025DA13 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA28 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA10 ,  2H096GA08 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA04 ,  2H096KA05 ,  2H096KA09 ,  2H097AA12 ,  2H097LA10 ,  5F046AA13 ,  5F046NA02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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