特許
J-GLOBAL ID：200903023996441291
シリコン鋳造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143731
公開番号（公開出願番号）：特開平9-301709
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコンからなる薄い鋳造品を製造する場合の鋳造品および鋳型の割れを防止する。【解決手段】 上部に加熱部21を設け、下部に冷却部22を設けた凝固炉20内で、鋳型40を上部から下部へ降下させることにより、鋳型40内の溶融シリコン30を下部から上部へ一方向凝固させる。鋳型底部の冷却速度が5°C/分以下となるように、鋳型40の降下速度を制御する。
請求項（抜粋）：
上部に加熱部、下部に冷却部を設けた凝固炉内で、鋳型を上部から下部へ降下させることにより、鋳型内のシリコンを下部から上部へ一方向凝固させる多結晶シリコンの鋳造方法において、鋳型底部の冷却速度を5°C/分以下に管理することを特徴とするシリコン鋳造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, B22D 25/04
, C30B 11/00
C01B 33/02 E
, B22D 25/04 B
, C30B 11/00 Z
