特許
J-GLOBAL ID：200903024010733512
研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151517
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345789
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 CMP技術による半導体装置の埋込配線形成工程などにおいて、Al-Cu膜上にコロージョンを発生させることなく研磨できるようにする。【解決手段】 AlおよびCuとのキレート化合物を作りうるキレート剤、もしくはAlおよびCu上に吸着しうる化学物質を研磨液に加えることにより、研磨中におけるAlとCuの電池効果を抑制し、研磨中におけるAlの溶出を抑制するようにした。
請求項（抜粋）：
少なくとも2種類の物質からなる合金膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧させ、研磨粒子を含む研磨液を前記合金膜と前記研磨布との間に供給しながら前記合金膜を研磨し、前記研磨液に、前記2種類の物質間に生じる電池効果を抑制するための化学物質を添加することを特徴とする研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
