ダブルパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-022350
公開番号（公開出願番号）：特開2009-217250
出願日： 2009年02月03日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【解決手段】被加工基板上に、化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成する工程、該膜に第1ポジ型パターンを得る工程、更に該ポジ型パターンに反転膜形成用組成物に使用される有機溶剤への耐性を与える工程、第2化学増幅ポジ型レジスト材料で反転膜を形成し、該膜に第2ポジ型パターンを得る工程を含み、更に第2ポジ型レジストパターンを得るアルカリ現像液工程において、上記アルカリ性現像液に可溶に反転された第1ポジ型パターンが、第2パターンを得る工程中に溶解除去、反転転写される工程を含むダブルパターン形成方法。【効果】本発明によれば、ヒドロキシ基含有溶剤や高極性溶剤を用い反転用膜の第2レジスト膜を成膜しても、第1ポジ型レジストパターンにダメージを与えず、間隙に第2レジスト材料を埋め込むことができ、第1ポジ型パターンを現像液でアルカリ可溶除去でき、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被加工基板上に、酸によって脱離する酸不安定基によって保護されたアルカリ可溶性基を持つ構造を有する繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布し、プリベークにより不要な溶剤を除去してレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱により露光によって発生した酸を酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせてアルカリ可溶とした後、アルカリ性現像液で現像して第1のポジ型パターンを得る工程、更に該ポジ型パターンを得る工程で得られたレジストパターン中の上記樹脂の酸不安定基を脱離させると共に、該樹脂にアルカリ性現像液に対する溶解性を失わない範囲で架橋を形成させて、レジストパターンに反転膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、その後、反転膜形成用組成物として酸によって脱離する酸不安定基によって保護されたアルカリ可溶性基を持つ構造を有する繰り返し単位を有する樹脂を含有する第2の化学増幅ポジ型レジスト材料を用いて反転膜を形成し、第2の化学増幅型レジスト材料の溶剤をプリベークにより該反転膜から除去し、該反転膜に高エネルギー線をパターン照射し、露光後加熱により露光によって発生した酸を酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせた後、アルカリ性現像液で現像して、第2のポジ型パターンを得る工程を含み、更に第2のポジ型レジストパターンを得るアルカリ現像液工程において、上記アルカリ性現像液に可溶に反転された第1のポジ型パターンが、第2のポジ型パターンを得る工程中に溶解除去、反転転写される工程を含むことを特徴とするダブルパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/40 , G03F 7/039 , G03F 7/075 , H01L 21/027 , C08F 220/28 , C08G 77/14

FI (8件)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , G03F7/40 501 , H01L21/30 502C , H01L21/30 570 , C08F220/28 , C08G77/14

Fターム (75件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BF15 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA29 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 4J100AJ02S , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100BA02P , 4J100BA03R , 4J100BA03S , 4J100BA11P , 4J100BA11T , 4J100BA15P , 4J100BA15T , 4J100BA20T , 4J100BB18S , 4J100BC03Q , 4J100BC04S , 4J100BC07Q , 4J100BC09R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC53T , 4J100BC58P , 4J100CA03 , 4J100CA06 , 4J100JA38 , 4J246AA03 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246CA14U , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA42X , 4J246CA420 , 4J246CA46X , 4J246CA460 , 4J246CA53X , 4J246CA530 , 4J246CA57X , 4J246CA570 , 4J246CA63X , 4J246CA630 , 4J246CA66X , 4J246CA660 , 4J246FA081 , 4J246FA131 , 4J246FA451 , 4J246FC051 , 4J246HA15 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

パターン形成方法およびT型ゲート電極のパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-125130 出願人：三菱電機株式会社
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-256295 出願人：東京応化工業株式会社
レジスト処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-326434 出願人：住友化学株式会社

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