半導体多層基板および半導体多層膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137083
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008488
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】基板への微小な凹凸の形成あるいは傾斜方向へ細長い成長領域を形成することで転位の少ない良好な格子定数または極性の異なる半導体多層基板を提供する。【構成】 <001>方向の表面を有するSi基板31表面上に全ての方向に対してステップを有するように、山状の凸部32を形成する。そして、この凸部の形成された半導体基板上に上に厚み2nmのGaAs結晶薄膜33および100nmのSi結晶薄膜34を成長して半導体多層基板を得る。

請求項（抜粋）：