特許
J-GLOBAL ID：200903024040928520
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400052
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203981
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。【解決手段】基板10と異なる格子定数の一導電型を呈するバッファ層11、一導電型を呈する半導体層12、半絶縁性を呈する半導体層からなる光吸収層13、逆導電型を呈する半導体層14、オーミックコンタクト層15を形成し、素子の側面と表面上に絶縁膜16を設け、基板10の下、およびオーミックコンタクト層15の上にそれぞれオーミック接点の第一の電極17a、その一部が露出して段差を持ち、かつオーミック接点の第二の電極17bを有する半導体受光素子。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、この半導体基板と異なる格子定数の一導電型を呈する半導体層、半導体からなる光吸収層、逆導電型を呈する半導体層、オーミック接点の第一の電極とを順次形成し、前記一導電型を呈する半導体層を延在し、その露出部の上にオーミック接点の第二の電極を形成したことを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (8件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049PA15
, 5F049QA02
, 5F049SS03
, 5F049SS04
