特許

J-GLOBAL ID：200903024044273375

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 林 茂生 ,  西谷 輝 ,  任田 隆夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321390
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162201
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 II-VI族成長室とは別の真空処理室(成長室)を設けずに、高品質のII-VI族化合物半導体の結晶成長を達成することを目的とする。【解決手段】 11a-cは水素ガスを熱解離させて原子状水素を発生させる密閉型クラッキングセルである。12a-14aはII-VI族分子線源である。GaAs基板15aを500°Cにし、水素のガスクラッキングセル11aを1400°Cに加熱して30分間原子状水素を基板に照射して酸化膜を除去し、そのまま続いてII-VI族半導体をMBE成長する。

請求項（抜粋）：

表面に自然酸化膜を有する半導体基板を真空容器内に設置する工程と、前記半導体基板を加熱するとともに表面に自然酸化膜を有する前記半導体基板に化学的に活性な水素を照射して前記自然酸化膜を除去する工程と、前記自然酸化膜の除去された前記半導体基板上に膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/363 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 21/363 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 表面処理方法及び表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-008173   出願人：光技術研究開発株式会社, 三菱電機株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286939   出願人：松下電器産業株式会社