特許

J-GLOBAL ID：200903024648673789

磁気トンネル接合素子及びその製造方法

発明者： 金 泰完 ,  趙 炳起 ,  沈 希宰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-386883
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179652
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】 所定厚さの磁気抵抗バッファ層をトンネル障壁層と結合させることによって均質度を向上させることにより、高MR比及び低RA値を有する高性能の磁気トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11と、基板上に順に積層される固定層12,13,15、トンネル障壁層19及び、自由層21を具備する磁気トンネル接合素子において、固定層12,13,15とトンネル障壁層間19に窒化系金属よりなる磁気抵抗バッファ層17が介設され、磁気トンネル接合素子が全体的に熱処理されることによって減少した磁気接合抵抗を有する磁気トンネル接合素子及びその製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板と、基板上に順に積層される固定層、トンネル障壁層、及び自由層を具備する磁気トンネル接合素子において、 前記固定層と前記トンネル障壁層の間に窒化系金属よりなる磁気抵抗バッファ層が介設され、前記磁気トンネル接合素子が全体的に熱処理されることによって減少した磁気接合抵抗を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (6件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

Fターム (8件)：

5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-116972   出願人：日本電気株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-107610   出願人：松下電器産業株式会社