特許
J-GLOBAL ID：200903088481368219
磁性メモリ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-290448
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128229
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】磁性素子をエッチング法を用いて形成する際、ショートを回避し、磁性素子の磁気特性の劣化を抑制することが可能な磁性メモリを提供する。【解決手段】基板1と、磁性素子下部52と、磁性素子上部51と、側壁19とを具備する磁性メモリを用いる。磁性素子下部52は、基板1の上面側に設けられた磁性素子54の一部である。導電体部12’、13’と第1磁性体膜14’を含んでいる。磁性素子上部51は、磁性素子下部52の上面側に設けられた磁性素子54の残部である。絶縁膜15)と第2磁性体膜16’を含んでいる。側壁19は、磁性素子上部51を囲むように設けられ、絶縁体で形成されている。そして、磁性素子54が、側壁19の外周で規定される大きさを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
基板の上面側に設けられた磁性素子の一部としての磁性素子下部と、
前記磁性素子下部の上面側に設けられた前記磁性素子の残部としての磁性素子上部と、
前記磁性素子上部を囲むように設けられ、絶縁体で形成された側壁と、
を具備する、
磁性メモリ。
IPC (3件)：
H01L27/105
, H01L43/08
, H01L43/12
H01L27/10 447
, H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083JA05
, 5F083JA19
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR03
, 5F083PR04
, 5F083PR06
, 5F083PR38
