基板処理方法および基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139171
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【課題】装置の大型化を招くことなく、軸受を含めた回転駆動機構を高温から確実に保護でき、これらのメンテナンス回数を減らしてスループットの向上に寄与できるとともに、品質の高い成膜およびエッチングの実行に寄与できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】処理容器1と、処理容器1内に配置されて被処理基板Sを保持する基板ホルダ20と、基板ホルダ20に連結され、かつ軸方向の途中に基板ホルダとの連結部より大径の中空大径部26を備えた回転軸25と、回転軸25を回転可能に支持する磁気軸受34と、回転軸25に回転動力を与えるモータ35と、基板ホルダ20を介して被処理基板Sを加熱するヒータ29と、回転軸25における中空大径部26の近傍に中空大径部26との間に微小ギャップAを介して配置されて中空大径部26を冷却する冷却液流路32とを備えている。

請求項（抜粋）：

処理容器内の基板ホルダに被処理基板を配置する工程と、前記基板ホルダに連結され、かつ軸方向の途中に上記基板ホルダとの連結部より大径の中空構造部を備えている回転軸を回転させて前記被処理基板を所定回転数の範囲に保持する工程と、前記基板ホルダを加熱して前記被処理基板を所定温度範囲に保持する工程と、前記回転軸における前記中空構造部の近傍に上記中空構造部との間に微小ギャップを介して配置された冷却手段により上記中空構造部を冷却する工程と、前記処理容器内にガスを導入して前記被処理基板の表面に所定の処理を行う工程とを具備してなることを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/68 , C23C 16/46 , C23F 1/12 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , B23B 19/02

FI (2件)：

H01L 21/302 A , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-324625
特開平2-068924
特開平1-232722

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審査官引用 (6件)

特開平4-324625
特開平2-068924
特開平1-232722

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