強誘電体メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044239
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】アニール温度を下げて結晶粒径を小さくすることによりリーク電流を小さくすると共に、耐疲労特性を向上させることができる強誘電体メモリを提供すること。【解決手段】 Liを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層6と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層5とを有する。

請求項（抜粋）：

Liを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層とを有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (9件)：

C01G 21/02 , H01B 3/00 , H01B 3/12 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

C01G 21/02 , H01B 3/00 F , H01B 3/12 301 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

Fターム (30件)：

5F001AA17 , 5F001AD33 , 5F001AF06 , 5F001AF07 , 5F001AF25 , 5F001AG30 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ01 , 5F083FR01 , 5F083GA21 , 5F083GA30 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5G303AA10 , 5G303AB20 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB16 , 5G303CB25 , 5G303CB35 , 5G303CB39

引用特許：

審査官引用 (5件)

誘電体薄膜素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295055 出願人：株式会社村田製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-313481 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261445 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

全件表示

前のページに戻る