特許
J-GLOBAL ID：200903047352925685
誘電体薄膜素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295055
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139474
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 基板、ならびに、その上に順次形成された、下部電極、誘電体薄膜および上部電極を備え、誘電体薄膜がPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 のような緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体からなるとき、この誘電体のペロブスカイト化率を高め、高い誘電率が得られるようにする。【解決手段】 下部電極3と誘電体薄膜5との間に、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなるバッファ層4を形成する。このようなバッファ層4は、緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜5のペロブスカイト化を容易にし、ペロブスカイト化率を向上させる。
請求項（抜粋）：
基板を用意し、前記基板上に下部電極を形成し、前記下部電極上にペロブスカイト構造を有する酸化物からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に緩和型複合ペロブスカイト構造を有する誘電体からなる誘電体薄膜を形成し、前記誘電体薄膜上に上部電極を形成する、各工程を備える、誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
