特許

J-GLOBAL ID：200903024076542912

薄膜形成方法及びその装置

発明者： 新井 康司 ,  澤田 和幸 ,  奥村 智洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326387
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 P-CVD法により良質の薄膜を形成するため、電源投入時の放電を安定して発生させる。【解決手段】 真空保持可能な反応室1内に配置された導電性支持台4に被処理体3を載置し、反応室1へのガス導入口6より反応ガスを導入し、被処理体3上に薄膜を形成する装置において、電源印加タイミング制御装置10を設置して台1の電源8と第2の電源9を適当な時間差を設けて印加することにより、放電開始時に安定した放電状態が得られるようにした。

請求項（抜粋）：

互いに異なった周波数f1 、f2 を有する第1と第2の電源により反応室内にプラズマを発生させ、反応室内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーにより活性化させ、反応ガスを化学的気相成長法により被処理体へ堆積させる薄膜形成方法において、第1の電源と第2の電源を適当な時間差を設けて印加することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-129377
  
• 特開平1-106432
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-301270   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227602   出願人：株式会社東芝