特許
J-GLOBAL ID:200903024079430805

チップ積層型半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-192139
公開番号(公開出願番号):特開2005-026564
出願日: 2003年07月04日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】接着剤により形成されるフィレットによる影響を抑制し、チップ積層型半導体装置の小型化及び量産性向上を実現する。【解決手段】電極パッドを有する基板10と、基板上に第1接着層11を介してフリップチップ実装された第1半導体チップ12と、第1半導体チップの上段に第2接着層13を介して搭載され、電極パッドを有する第2半導体チップ14と、第2半導体チップの電極パッドと基板の電極パッドとを電気的に接続するワイヤー15と、第1及び第2半導体チップとワイヤーを封止するモールド樹脂16とを備える。第1半導体チップはその中心軸が基板の中心位置からオフセットさせて配置されており、そのオフセットの方向は、第1接着層が第1半導体チップの外縁部に形成するフィレット11aの当該外縁からの長さが最も大きい辺の対辺に向かった方向である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電極パッドを有する基板と、前記基板上に第1接着層を介してフリップチップ実装された第1半導体チップと、前記第1半導体チップの上段に第2接着層を介して搭載され、電極パッドを有する第2半導体チップと、前記第2半導体チップの電極パッドと前記基板の電極パッドとを電気的に接続するワイヤーと、前記第1及び第2半導体チップと前記ワイヤーを封止するモールド樹脂とを備えた半導体装置であって、 前記第1半導体チップは、その中心軸を前記基板の中心軸からオフセットさせて配置されており、そのオフセットの方向は、前記第1接着層が前記第1半導体チップの外縁部に形成するフィレットの、前記第1半導体チップの外縁部からの長さが最も大きい辺の対辺に向かった方向であることを特徴とするチップ積層型半導体装置。
IPC (4件):
H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (2件):
H01L25/08 Z ,  H01L21/60 311Q
Fターム (4件):
5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044LL11 ,  5F044RR19
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-287218   出願人:富士通株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-163925   出願人:松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-275217   出願人:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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