特許

J-GLOBAL ID：200903024084616402

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ

発明者： 寺田 尚司 ,  松園 淳史 ,  小野 洋明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 角田 芳末 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117108
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314167
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 高い出力が得られると共に、抵抗が高く高記録密度に対応することができる巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを提供する。【解決手段】 強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有する積層膜2から成り、強磁性膜が磁化自由層13と磁化固定層とを有し、上部電極及び下部電極により積層膜2の膜面に垂直な方向に電流が流され、積層膜2が高抵抗層21を含んで積層され、この積層膜2の幅方向の両外側に導電性の硬磁性体から成る硬磁性膜3及び絶縁層4が直接接合して形成され、この硬磁性膜3が高抵抗層21より磁化自由層13寄りに接合して成る巨大磁気抵抗効果素子1を構成する。また、上記巨大磁気抵抗効果素子1を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。

請求項（抜粋）：

強磁性膜と非磁性膜と反強磁性膜とを有する積層膜から成り、該強磁性膜が磁化自由層と磁化固定層とを有し、上部電極及び下部電極により該積層膜の膜面に垂直な方向に電流が流される巨大磁気抵抗効果素子であって、上記積層膜が高抵抗層を含んで積層され、上記積層膜の幅方向の両外側に、導電性の硬磁性体から成る硬磁性膜及び絶縁層が直接接合して形成され、上記硬磁性膜が、上記高抵抗層より上記磁化自由層寄りに接合して成ることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (20件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BB08 ,  5D034CA08 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA13 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088448   出願人：株式会社東芝
• 変換器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-079163   出願人：リード-ライトコーポレーション
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ-素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-324037   出願人：松下電器産業株式会社
• スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-120504   出願人：株式会社日立製作所