特許

J-GLOBAL ID：200903071024177688

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ-素子

発明者： 榊間 博 ,  平本 雅祥 ,  松川 望 ,  足立 秀明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340859
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 従来の磁気抵抗効果素子では得られない大きなMR比と高出力の薄膜磁気ヘッドを得る。更にメモリ-素子を可能とする。【解決手段】 磁性層にスピン分極率が高く、抵抗の高い酸化物磁性膜を用い、膜面に垂直に電流を流して大きなMR比を示す磁気抵抗効果素子を得る。更にこれを用いて磁気抵抗効果型ヘッドとメモリ-素子を構成する。

請求項（抜粋）：

非磁性層を介して積層された二つの磁性層の積層膜[磁性層1/非磁性層/磁性層2]を主構成要素とする磁気抵抗効果素子において、前記磁性層の少なくとも一方がMFe2O4(MはFe,Co,Niから選ばれる1種もしくは2種以上の元素)を主成分として構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

Fターム (13件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5E049AB04 ,  5E049AB09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-510707   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-196363   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290307   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-057908   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-510707   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-196363   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290307   出願人：日本電気株式会社