特許

J-GLOBAL ID：200903024104141589

半導体製造装置

発明者： 中村 直人 ,  坂本 一郎
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092063
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260363
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ面内の温度分布の均一性を向上させることができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】反応管100は、反応管本体10と1本のガス導入管111を備える。ガス導入管111は反応管本体10の外周面に沿ってらせん状に巻回されている。ガス導入管111の上流側である下端部にガス導入管ガス導入部121を設け、その下流側である上端は反応管本体10の上部に設けられたシャワー室42の側壁に連通させる。ガス導入管111が反応管本体10の外周面に沿ってらせん状に巻回されているので、ガス導入管111内を流れるガスによる冷却の影響を分散させることができ、その結果、ウェーハの面内の温度分布が均一になって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の均一性が向上する。

請求項（抜粋）：

加熱手段と、前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前記反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と排気部とを有する反応管と、前記反応管の前記排気部側から前記ガス導入部まで前記反応管の側壁に巻回されて延在するガス導入管と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/324 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-352469   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 特開平4-068528
  
• 減圧気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-209054   出願人：山口日本電気株式会社
• 特開平4-068528