薄膜状半導体装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335906
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】良好な特性を示す薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【構成】絶縁表面上に、400Å以上の厚さの非晶質半導体膜を形成し、それを全面的にもしくは選択的にエッチングして、厚さ300Å以下の領域を形成し、これをTFTのチャネル形成領域として使用する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に存在し、その上にゲイト電極が形成された部分の厚さが平均で300Å以下の薄膜状の結晶性半導体の活性層を有し、電界効果移動度の最大値が50cm2 /Vs以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (16件)

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