特許

J-GLOBAL ID：200903024176513774

層間絶縁膜

発明者： 青井 信雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334872
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 配線材料である銅が層間絶縁膜中に拡散する事態を防止して、長期間に亘って使用されても、層間絶縁膜の耐圧が劣化しないようにする。【解決手段】 層間絶縁膜は有機無機ハイブリッド膜からなり、該有機無機ハイブリッド膜は、シロキサンよりなる第1の部位aと、有機分子よりなる第2の部位bとが交互に結合してなる主鎖を有している。

請求項（抜粋）：

シロキサンよりなる第1の部位と有機分子よりなる第2の部位とが交互に結合してなる主鎖を有する有機無機ハイブリッド膜からなることを特徴とする層間絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C08G 77/42 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 A ,  C08G 77/42 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 S

Fターム (27件)：

4J035GA01 ,  4J035GA02 ,  4J035GA05 ,  4J035GA06 ,  4J035GA08 ,  4J035GA10 ,  4J035LB20 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AD11 ,  5F058AH02 ,  5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF24 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (5件)

• ケイ素系ハイブリツド材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-317285   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開昭60-142545
  
• 半導体保護膜材料およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-286172   出願人：日本電気株式会社
• 集積回路誘電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348216   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 高分子膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-170016   出願人：日本電気株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社

審査官引用 (3件)

• ケイ素系ハイブリツド材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-317285   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開昭60-142545
  
• 特開昭60-142545