特許

J-GLOBAL ID：200903024178667787

気相成長方法

発明者： 羽深 等 ,  楯 直人 ,  黛 雅典 ,  角田 均 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236462
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 マイクロラフネスを伴わない平坦な表面状態のエピウェーハを確実に製造することができる気相成長方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶基板を、好ましくは800°C未満の温度より不活性ガス雰囲気内で昇温する工程と、自然酸化膜を気相成長の前に950°C以上1190°C以下の水素ガス雰囲気内でエッチング除去する工程とを有する気相成長方法である。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる方法において、前記シリコン単結晶基板を不活性ガス雰囲気内で昇温する工程と、前記シリコン単結晶基板の表面上に形成された自然酸化膜を気相成長の前に水素ガスでエッチング除去する工程とを有することを特徴とする気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-055840
  
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196576   出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
• 特開昭62-210627