特許

J-GLOBAL ID：200903024183685840

基板処理方法および基板現像装置

発明者： 美作 昌宏 ,  玉田 修
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274046
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 現像後のパターンの線幅の均一性を向上することができる基板処理方法および基板現像装置を提供する。【解決手段】 化学増幅型レジストが塗布された基板Wの現像処理に先立って行われるプリウエット処理において、プリウエット処理に使われる純水を冷却することにより、純水が基板Wに与える温度の影響を少なくして、現像後のパターンの線幅のバラツキを抑制する。冷却ユニット20から出水された冷却水は純水供給機構11のノズルアーム12内を循環して冷却ユニット20に戻る。ノズルアーム12内の内管12aを流通する純水は、この冷却水で冷却されて純水供給ノズル13から基板W上に供給される。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストが塗布された基板の現像処理に先立って、冷却された処理液で基板を処理することを特徴する基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 502 ,  G03F 7/38 512

FI (4件)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/30 502 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 569 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 現像方法及び現像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160272   出願人：ソニー株式会社
• 反射防止膜材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284281   出願人：信越化学工業株式会社