サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を製造するペンディオエピタキシャル方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-048445
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343729
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】低コストおよび/または高い入手可能性の窒化ガリウムデバイスを製造することを可能とする。【解決手段】窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。少なくとも一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。少なくとも一つの溝はサファイア底を含む。窒化ガリウム側壁は少なくとも一つの溝内に横方向成長され、それによって窒化ガリウム半導体層を形成する。横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、上記下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの柱および上記下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定し、上記少なくとも一つの柱は頂部および側壁を含み、上記少なくとも一つの溝は底を含む工程と、上記少なくとも一つの底をマスクでマスキングする工程と、上記少なくとも一つの頂部をマスクでマスキングする工程と、上記少なくとも一つの柱の上記側壁を上記少なくとも一つの溝に横方向成長させ、それによって窒化ガリウム半導体層を形成する工程とを有し、上記エッチングする工程は、上記下層の窒化ガリウム層をエッチングして上記サファイア基板を露出させ、それによって少なくとも一つのサファイア底を形成する工程を有し、上記マスキングする工程は、上記少なくとも一つのサファイア底を、サファイア上と比較してその上の窒化ガリウムの核生成を減少させるマスクでマスキングする工程を有する窒化ガリウム半導体層の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (18件)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045HA02 , 5F045HA24 , 5F073DA24 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119377 出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る