特許
J-GLOBAL ID：200903024225563839

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小野 瑞城

小野 瑞城 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161986
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349169
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】半導体装置に於いて接触抵抗に起因する寄生抵抗を抑制し、低い電圧下で高い駆動力を有し速い速度で動作する半導体装置を提供する。【解決手段】N型半導体層上とP型半導体層上との双方に複数種類の金属ないしは金属珪化物の層を設けることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたP型領域と、前記半導体基板上に形成されたN型領域と、前記P型領域および前記N型領域に形成された第1の金属或いはこの第1の金属の金属半導体化合物と、前記P型領域およびN型領域に形成された第2の金属或いはこの第2の金属の金属半導体化合物とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 X
Fターム (61件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104FF24 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F040DA10 ,  5F040DA22 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC12 ,  5F040EC13 ,  5F040EC19 ,  5F040EF03 ,  5F040EH02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH07 ,  5F040EJ07 ,  5F040EK05 ,  5F040FB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25
引用特許：
審査官引用 (5件)
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