半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170285
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074218
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン基板の不純物拡散領域と金属配線との接触抵抗を下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の表面層に形成された不純物添加領域と、不純物添加領域の表面に接触し、TiMo、TiV、TiW、TiMoNb、TiMoTa、TiMoV、TiMoW、TiNbV、TiNbW、TiMoNbTa、TiMoNbV、TiMoNbW、TiMoTaW、TiMoVW、TiNbTaW、TiNbVW、TiMoNbTaW、TiMoNbVW等からなる群より選ばれた1つの合金により形成されたコンタクト層と、コンタクト層の上に配置され、高融点金属窒化物または高融点金属窒化酸化物からなるバリア層と、バリア層の上に配置された金属配線とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の表面層に形成された不純物添加領域と、前記不純物添加領域の表面に接触し、TiMo、TiNb、TiV、TiW、TiMoNb、TiMoTa、TiMoV、TiMoW、TiNbTa、TiNbV、TiNbW、TiMoNbTa、TiMoNbV、TiMoNbW、TiMoTaW、TiMoVW、TiNbTaW、TiNbVW、TiMoNbTaW、TiMoNbVW、ZrNb、ZrNbTa、HfNb、HfNbTa、TiZrNbTa、TiHfNb、TiHfNbTa、TiZrHfNb、TiZrHfNbTa、TiTa、ZrTa、HfTa、TiZrTa、TiHfTa、TiZrHfTaからなる群より選ばれた1つの合金により形成されたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に配置され、高融点金属窒化物または高融点金属窒化酸化物からなるバリア層と、前記バリア層の上に配置された金属配線とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125157 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
バリアメタル皮膜の窒化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-172175 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-141030 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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