特許
J-GLOBAL ID：200903024243406252

半導体記憶装置

発明者：
大石 司

大石 司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006359
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 ロウアクセスコマンド選択後のデータアクセス時間を短縮する。【解決手段】 連続して行なわれる動作モードにおいて最初の動作モードに対して生成される内部制御パルス(リードパルス,ライトパルス)の発生タイミング/パルス幅を変更する。
請求項（抜粋）：
動作モード指示信号に応答して、前記動作モード指示信号が指定する動作を行なうための内部制御パルス信号を発生するための内部制御信号発生回路を備え、前記内部制御信号発生回路は、前記動作モード指示信号が連続して与えられるとき、最初の内部制御パルス信号と以降の内部制御パルス信号の発生タイミングおよびパルス幅の少なくとも一方を異ならせるための回路を含む、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/409 ,  G11C 11/401
FI (4件)：
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 H
Fターム (10件)：
5B024AA15 ,  5B024BA10 ,  5B024BA15 ,  5B024BA21 ,  5B024BA23 ,  5B024BA25 ,  5B024CA07 ,  5B024CA11 ,  5B024CA16 ,  5B024CA27
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平4-358412
審査官引用 (4件)
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