特許
J-GLOBAL ID：200903085317744642
半導体記憶装置
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195267
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 センスアンプに駆動電源を供給するセンスアンプ駆動トランジスタのゲート電位を制御して、センスアンプの駆動能力を調節し、センス動作およびデータの書き込み動作を高速化した半導体記憶装置を得ることを目的とする。【解決手段】 この発明に係る半導体記憶装置は、センスアンプ駆動トランジスタのゲート電位を制御して、このセンスアンプ駆動トランジスタのオン抵抗をセンス時には小さく、データの書き込み時には大きくして、センスアンプの読み出し、書き込み動作を高速する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセル、前記複数のメモリセルに接続されたビット線対、前記ビット線対に接続され前記ビット線対の電位差を検知増幅するセンスアンプ、前記センスアンプを駆動する第1の電源電位を供給する第1の電源供給配線、前記センスアンプを駆動する第2の電源電位を供給する第2の電源供給配線、前記センスアンプと前記第1の電源供給配線の間に接続され導通して前記センスアンプを駆動する第1のセンスアンプ駆動トランジスタ、前記センスアンプと前記第2の電源供給配線の間に接続され導通して前記センスアンプを駆動する第2のセンスアンプ駆動トランジスタ、および前記第1のセンスアンプ駆動トランジスタのゲートに与えられ前記第1のセンスアンプ駆動トランジスタのオン抵抗を書き込み動作時に読み出し動作時よりも高くするように電位変化する第1のセンスアンプ活性化信号を発生するセンスアンプ活性化信号発生回路を備えた半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
引用特許：
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