特許
J-GLOBAL ID：200903024279140828
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312435
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 AlGaAs系材料を用いた半導体レーザ装置において、従来GaInPを用いていることにより生じていた問題点を解決し、信頼性に優れかつ製造効率の高い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、基板101上に下クラッド層102、活性層103、第1上クラッド層104a、電流ブロック層106、第2上クラッド層104b、コンタクト層108を積層しているが、第1上クラッド層と電流ブロック層との間に、InGaAlP層105を積層することで、従来エッチングストッパとして用いられていたGaInP層に比べ、良質の成膜が可能となるとともに製造効率が向上した。
請求項（抜粋）：
Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(ただし、0≦x<1)からなり第1導電型の下クラッド層、活性層および第2導電型の第1上クラッド層を有する第1の層構造と、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(ただし、0≦x<1)からなり第2導電型の第2上クラッド層を埋め込んだ電流ブロック層を有する第2の層構造とを含む半導体レーザ装置において、前記第1の層構造と前記第2の層構造との間に形成されたInGaAlPからなる層を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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