特許

J-GLOBAL ID：200903024294347641

半導体集積回路の製造方法

発明者： 梶田 美香 ,  吉田 正義 ,  加藤 久幸 ,  守部 俊二 ,  田中 克彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206865
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055478
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【目的】 単純な構造で高品質・高容量となるキャパシタ形成技術を提供する。【構成】 半導体基板の所望導体上に下部電極,Ta2O5膜からなる容量絶縁膜,上部電極を順次積層形成してスタックド構造の容量素子を形成する方法であって、前記下部電極形成後、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用い酸素を多量に流した状態でTa2O5膜を形成する工程と、前記Ta2O5膜を酸素雰囲気下で熱処理する工程と、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用いて上部電極となるTiN膜を形成する工程とを有する。ドープトポリシリコン膜を形成した後、前記ドープトポリシリコン膜上に厚さ20Å程度のSi3N4膜を形成して下部電極を形成する。上部電極を構成するTiN膜はNH3とTi〔N(C2H5)2〕4などのTi(NR2)4とを250〜550°C程度で反応させて形成する。Ta2O5膜がハロゲン物質によって劣化しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所望導体上に下部電極,Ta2O5膜からなる容量絶縁膜,上部電極を順次積層形成して容量素子を形成する工程を有する半導体集積回路の製造方法であって、前記下部電極形成後、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用い酸素を多量に流した状態でTa2O5膜を形成する工程と、前記Ta2O5膜を酸素雰囲気下で熱処理する工程と、ハロゲン物質を含まない有機ソースを用いて上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042646   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-225225
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-191119   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-225225
  
• 特開平4-225225