特許

J-GLOBAL ID：200903024303133692

光起電力素子

発明者： 保野 篤司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200155
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017724
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン系非単結晶半導体材料からなる光起電力素子に係り、より詳細には光電変換効率が高く、かつ信頼性の高い光起電力素子を提供する。【解決手段】 シリコン系非単結晶半導体材料からなり、pnまたはpin構造を有する複数の単位素子110、111、112同士をpn接合させた光起電力素子において、前記発電層のp/n型接合部界面で窒素濃度が最大となるピークを持ち、且つその窒素濃度が1×1018atoms/cm3以上、1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン系非単結晶半導体材料からなるpn又はpin構造を有する複数の単位素子同士を、p/n型接合させて積層した光起電力素子において、前記p/n型接合の接合界面で、窒素濃度が最大となるピークを持ち、且つそのピークにおける窒素濃度(ピーク窒素濃度)が1×1018atoms/cm3以上、1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

Fターム (19件)：

5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA37 ,  5F051CA40 ,  5F051DA03 ,  5F051DA15 ,  5F051DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-099943   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 半導体膜形成装置、半導体膜の製造方法及び光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-044795   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-084074