狭ギャップ充填用途の誘電フィルム

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：川口義雄 , 一入章夫 , 小野誠 , 大崎勝真 , 坪倉道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-562989
公開番号（公開出願番号）：特表2005-516394
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

溶媒中に分散した高密度材料からなるナノ粒子のコロイド状懸濁液が、熱収縮の小さいギャップ充填誘電材料を形成するのに使用される。誘電材料は金属化前誘電体および浅溝絶縁の用途に特に有用である。誘電材料を形成する方法によれば、コロイド状懸濁液を基板上に被着し、乾燥して多孔質の中間層を形成する。中間層は、スピン塗工ポリマーなどの液相マトリックス材料で浸透し、続けて硬化すること、また、気相マトリックス材料で浸透し、続けて硬化すること、あるいは硬化のみによって改変され、ギャップ充填性のある、熱的に安定な、エッチング抵抗性のある誘電材料を提供する。

請求項（抜粋）：

プロセスが、コロイド状分散体を基板上に被着させ、前記コロイド状分散体が溶媒中に分散した高密度材料の粒子を含み、前記高密度材料が誘電材料あるいは酸化または窒化によって誘電材料に転換可能な材料であること、前記コロイド状分散体を乾燥して中間層を形成すること、前記中間層をマトリックス材料で浸透して浸透された層を形成すること、および、前記浸透した層を硬化し、それによって浸透した層を改変して誘電層を形成することを含む、基板上に誘電層を形成するプロセス。

IPC (3件)：

H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/316 G , H01L21/90 Q , H01L21/76 L

Fターム (27件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032AA49 , 5F032AA54 , 5F032DA01 , 5F032DA02 , 5F033HH04 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033XX02 , 5F033XX03 , 5F033XX12 , 5F058BA09 , 5F058BF46 , 5F058BH07 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (7件)

絶縁膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-179848 出願人：富士通株式会社
陽極結合用ガラス被覆体の形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-521975 出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァーフェーデルングデアアンゲバンテンフォルシュングエーファー
半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-105218 出願人：セイコーエプソン株式会社

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