特許

J-GLOBAL ID：200903024329940928

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者： 笠原 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183360
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、TFTの電気特性、特にしきい値を向上させるとともに信頼性の高い半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】 上記目的を解決するため、本発明は、基板上に設けられ、熱処理が施された第1の下地膜101a’上に、第2の下地膜101bと半導体膜102を連続的に形成し、次いで結晶化を行った後、パターニングを行い所望の形状を有する活性層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に接する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に接するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル形成領域に接するゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域上に前記ゲート絶縁層を介して設けられたゲート配線とを有し、前記第2の絶縁膜の膜厚は、前記第1の絶縁膜より薄いことを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347646   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-019824   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所