特許

J-GLOBAL ID：200903024334265759

シロキサン系樹脂およびこれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法

発明者： 柳 利 烈 ,  林 珍 亨 ,  鄭 鉉 潭 ,  金 貞 衡 ,  馬 相 國 ,  羅 恩 珠 ,  ▲黄▼ 日 宣
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089759
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363285
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】 より低い誘電性、および、半導体層間絶縁膜として使用する場合に必要な、機械的特性、熱安定性、抵抗性などの特性の向上を達成し得るシロキサン系樹脂、その製造方法、およびそれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 環状シロキサン化合物および/またはケージ状シロキサン化合物と、選択的に珪素原子が加水分解可能な作用基で1ヶ所以上置換されている1種類以上のシラン化合物とを、有機溶媒中で触媒と水の存在下で、加水分解および縮合重合させてなるシロキサン系樹脂およびそれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法である。

請求項（抜粋）：

下記化学式1:【化1】(式中、Rは水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数3〜10の環状アルキル基または炭素数6〜15のアリール基であり、X1〜X3はそれぞれ独立して炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基またはハロゲン原子であって、かつ少なくとも1つはアルコキシ基またはハロゲン原子であり、pは3〜8の整数、mは1〜10の整数である。)で示される環状シロキサン化合物、および/または、下記化学式2a〜2c:【化2】【化3】【化4】(式中、X1〜X3はそれぞれ独立して炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基またはハロゲン原子であって、かつ少なくとも1つはアルコキシ基またはハロゲン原子であり、nは1〜12の整数である。)のいずれか一つで示されるケージ状シロキサン化合物と、選択的に、珪素原子が加水分解可能な作用基で1ヶ所以上置換されている1種類以上のシラン化合物と、を、有機溶媒中で触媒と水の存在下で、加水分解および縮合重合させてなるシロキサン系樹脂。

IPC (4件)：

C08G 77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C08G 77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第3646087号
  
• 膜形成用組成物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-116285   出願人：ジェイエスアール株式会社
• ナノ気孔を有する物質を製造するための組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-016754   出願人：三星電子株式会社