特許

J-GLOBAL ID：200903024373834817

半導体装置及びその製造方法並びに電気光学装置

発明者： 北和田 清文 ,  小橋 裕
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044984
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243834
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造において、層間絶縁膜の加工を簡略化し、安価で耐環境性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】 下層配線60上に感光性ポリシラザンを塗布し、露光・現像で開口した後に酸化シリコンに変性させ、平坦性、耐ヒロック性に優れた厚い層間絶縁膜22を安価に提供する。また、開口に通常のエッチング・剥離が不要であるため、環境へのダメージが少ない。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の絶縁膜と複数の配線層とを有してなる半導体装置の製造方法において、複数の前記配線層のうちの第一の配線層上にポリシラザン膜を形成する工程と、前記ポリシラザン膜に開口部を設ける工程と、前記開口部が形成されたポリシラザン膜をシリコン酸化膜を主成分とする絶縁膜にする工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/90 K ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (108件)：

2H090HA04 ,  2H090HA05 ,  2H090HA08 ,  2H090HB03X ,  2H090HB12X ,  2H090HC05 ,  2H090HC09 ,  2H090HC10 ,  2H090HD03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB24 ,  2H092JB58 ,  2H092KA12 ,  2H092KA24 ,  2H092KB04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092MA25 ,  2H092NA19 ,  2H092NA28 ,  2H092PA12 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033NN03 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033SS27 ,  5F033VV04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F058AA05 ,  5F058AA06 ,  5F058AC03 ,  5F058AC07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 感光性耐熱樹脂組成物および多層配線方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-220291   出願人：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040943   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040941   出願人：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
• 特開昭63-299253