特許
J-GLOBAL ID：200903024375591610
半導体発光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-116950
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277409
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】半導体発光装置では、発光層を基板上に堆積させて形成するため、完成した半導体発光装置には基板が射光面として残る。しかし、この基板は半導体発光装置が完成した後は、不要な部材である。そこで、レーザ光線を用いて発光層と基板を剥離する技術が提案されているが、1つ1つの半導体発光装置の基板を剥離するのは、製造効率が悪い。【解決手段】基板上に複数の発光層を形成し、電極とバンプを介してサブマウント上に接着する。レーザ光を基板の裏面から一度に照射し、複数の半導体発光装置を一度に形成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ウエハにn型層と活性層とp型層からなる発光層を形成する発光層形成工程と、
前記活性層と前記p型層の一部を除去する除去工程と、
前記n型層と前記p型層にそれぞれn側電極およびp側電極を形成する電極形成工程と、
前記ウエハを取り出し電極を形成したサブマウント基板に接着させる貼付工程と、
前記ウエハの裏側からレーザを照射するレーザ照射工程と、
前記ウエハとサブマウント基板から剥離するウエハ剥離工程を含む半導体発光装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/343
, H01S 5/323
H01L33/00 C
, H01S5/343 610
, H01S5/323 610
5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA91
, 5F041DA09
, 5F173AF03
, 5F173AH04
