特許
J-GLOBAL ID：200903043547278875

半導体装置の製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
石田 昌宏

石田 昌宏 について

, 
油利 正昭

油利 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347587
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 基板上に成長した半導体層が比較的に大面積であっても、異種基板等の他の部材を均一な状態で貼り合わせ可能とすると共に、異種基板への転写を確実に行なえるようにする。【解決手段】 半導体層11の上面に、加熱により剥離可能な接着剤層51aを有する高分子フィルム51を貼り付ける。次に、基板10に対して半導体層11の反対側の面からKrFエキシマレーザ光を照射する。このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層11はその基板10との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板10と半導体層11層との間に熱分解層11aが形成される。次に、基板10を所定の温度に加熱することにより、接着剤層51aは発泡して接着力がなくなるため、高分子フィルム51は半導体層11から容易に剥離する。
請求項（抜粋）：
第1の基板の上に第1の半導体層を成長する第1の工程と、加熱により剥離可能な接着剤層を有する高分子フィルムの接着面を前記第1の半導体層の上面に貼り合わせる第2の工程と、前記第1の基板に対して前記第1の半導体層の反対側の面から、前記第1の基板を透過し且つ前記第1の半導体層で吸収される波長を有する照射光を照射することにより、前記第1の半導体層と前記第1の基板との間に前記第1の半導体層が熱分解されてなる熱分解層を形成する第3の工程と、前記第1の基板を加熱して前記接着剤層の接着力を弱めることにより、前記第1の半導体層から前記高分子フィルムを剥離する第4の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/00 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610
FI (7件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/00 A ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610
Fターム (55件)：
5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052EA02 ,  5F052EA11 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KB00 ,  5F072AA06 ,  5F072AB01 ,  5F072GG02 ,  5F072JJ12 ,  5F072JJ20 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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