特許
J-GLOBAL ID：200903024379294784
電子放出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064111
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 電界放出の効率が良い電子放出素子を提供することを目的とする。【構成】 ガラス基板28上に四角錘状のエミッタ201 、このエミッタ201上の先端部以外の部分にSiO2 層17、SiO2 層17上にグリッド電極13が形成されている。またガラス基板28上のエミッタ201 とは異なる位置にMOSFET24が形成されており、MOSFETのソ-ス電極21はエミッタ201 に接続されている。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成され先端が鋭いエミッタと、このエミッタの先端を除く前記エミッタ上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成されたグリッド電極と、前記基板上の前記エミッタとは異なる位置に形成され前記エミッタに接続された半導体制御素子とを備えたことを特徴とする電子放出素子。
引用特許：
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