特許
J-GLOBAL ID：200903024390108461
エッチング方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148270
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 異なる膜厚部分を有する膜をエッチングする場合など、同質の材料から成り膜厚の異なる被エッチング膜をエッチングする際も、エッチング終了時間を等しくできるか、あるいは可能な限り近似でき、下地に対する悪影響なども生じないようにできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化膜等の被エッチング膜21に開孔25,26を加工するドライエッチング工程を備える場合について、下地構造(段差等)に起因する被エッチング膜21の膜厚の違いに対応して、薄い膜に形成する開孔26と厚い酸化膜に形成する開孔25のエッチング終了時間を可能な限り等しくするべく、開孔25,26の深さによらずエッチング後のアスペクト比(接続孔の深さ/接続孔の直径)が可能な限り近似するようにエッチングマスクを形成して、これを用いて開孔25,26(接続孔)をドライエッチングで形成する。
請求項（抜粋）：
同質の材料から成り膜厚の異なる被エッチング膜をエッチングマスクを用いて同時にエッチングするエッチング方法において、上記エッチングマスクの形状を、膜厚の異なる被エッチング膜の各エッチング終了時間が等しくなるもしくは各エッチング終了時間が近似する構成で形成したことを特徴とするエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/28 L
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 F
, H01L 21/302 J
, H01L 21/302 B
, H01L 21/90 C
