特許

J-GLOBAL ID：200903024449353520

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 古川 千里 ,  中村 隆文
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-234434
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054295
出願日： 2004年08月11日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】 光取出し効率の向上を図ることの可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 光取出し面側に球状曲面を有する基板3と、活性層1b及びこれを挟むクラッド層1a、1bを備え、その表面側において基板3と接する半導体層1と、半導体層1の中心及び/又は放射状に配置されたトレンチ内に充填形成される第1の電極4と、半導体層の裏面側に形成される第2の電極6を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光取出し面側に球状曲面を有する基板と、 活性層及びこれを挟むクラッド層を備え、その表面側において前記基板と接する半導体層と、 前記半導体層の中心及び/又は放射状に配置されたトレンチ内に充填形成される第1の電極と、 前記半導体層の裏面側に形成される第2の電極を備えることを特徴とする光半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 M ,  H01L33/00 B

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CB14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089754   出願人：株式会社東芝
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214310   出願人：株式会社日立製作所