発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214310
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068153
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】発光波長が920nm〜1050nmになる発光ダイオードにおける光出力向上、光出力バラツキ低減、製造コスト低減。【解決手段】 GaAs基板と、前記GaAs基板上に設けられる複数の化合物半導体層とを有し、前記化合物半導体層の1乃至複数層で活性層を構成してなる発光ダイオードであって、前記活性層は井戸層がInGaAsであり障壁層がInGaAsPである多重量子井戸構造になっている。前記井戸層は3層乃至20層になっている。前記GaAs基板の一面は半球面に形成され、前記半球面が光出射面になっている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、前記GaAs基板上に設けられる複数の化合物半導体層とを有し、前記化合物半導体層の1乃至複数層で活性層を構成してなる発光ダイオードであって、前記活性層は井戸層がInGaAsであり障壁層がInGaAsPである多重量子井戸構造になっていることを特徴とする発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055421 出願人：株式会社日立製作所
歪多重量子井戸光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-347359 出願人：株式会社フジクラ
特開平3-016279

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