窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067631
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260771
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】容易にストライプ幅の狭い活性領域が作製できる窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、従来の電極ストライプ型のレーザ素子よりも閾値電流が低下した新規な窒化物半導体レーザ素子の構造とを提供して、室温での連続発振を目指す。【構成】第1の窒化物半導体層の上に、活性層と異なる屈折率を有し、さらに表面に窒化物半導体が成長できる性質を有する電流阻止層を形成し、前記電流阻止層の表面に所定のストライプ溝を有するマスクを形成し、さらにマスクが形成された電流阻止層をエッチングして、その電流阻止層に活性層の導波路に相当するストライプ状の開口部を形成することにより、電流阻止層がストライプ状の開口部を有する形状で、窒化物半導体積層構造の内部に形成されている。

請求項（抜粋）：

活性層と異なる屈折率を有し、さらに表面に窒化物半導体が成長できる性質を有する電流阻止層が、ストライプ状の開口部を有する形状で、窒化物半導体積層構造の内部に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-099587
特開平1-149498
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038159 出願人：株式会社東芝

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